在线研讨会介绍---后道互连工艺技术与可靠性

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在线研讨会介绍
研讨会主题：后道互连工艺技术与可靠性
主办单位：Semiconductor International China 《半导体国际》
举行时间：2008年8月28日（20:00-21:30 ）
研讨会简介：半导体产业发展至今，大部分时间内Al 互连技术都扮演了极为重要的角色，铝材料和SiO2一直作为制造集成电路中的微连线或配线；0.13微米以下的设计标准中，采用铝微连线制造的器件开始在可靠性方面出现问题，基于双大马士革的铜互连工艺应运而生，成为后道工艺金属化的新标准，进一步改善互连性能的需求，推动今后互连技术的发展；而在成熟的工艺应用中，Al互连仍扮演着重要角色。如何在互连的材料、结构和设计方面进行革新，通过工艺优化控制缺陷率，提高互连的可靠性，成为业内共同的话题。
主要议题
　·集成电路互连技术的发展趋势、应用以及挑战；
　·互连结构的设计
　·Al/Cu 制程互连工艺的实际案例分析（包括CVD/PVD、刻蚀、电镀、CMP 等工艺点）；
　·新型材料的应用及对互连可靠性的影响；
　·新型互连工艺的研发及应用。
演讲内容
　Chanllenges on Cu Dual Damascene Technology in Mainland China
　曹涯路，中芯国际，DCVD PE课经理
　随着IC器件特征尺寸的不断缩小，0.13um以下制成所占比重日益增加。对Cu互连技术的要求越来越具挑战性，尤其表现三方面：产品良率、可靠性的提高、以及生产成本的控制。我们回顾了中芯国际铜互连工艺生产过程中所遇到的挑战，分析问题的成因，并获得合理低成本的解决方案。